2SCR552P5T100, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 3A Ic MPT3

2SCR552P5T100, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 3A Ic MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2675 шт., срок 7-9 недель
160 руб.
от 10 шт.140 руб.
от 100 шт.96 руб.
от 500 шт.72.38 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8005259053
Артикул: 2SCR552P5T100
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V Vceo 3A Ic MPT3

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № 2SCR552P5
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200 at 500 mA, 2 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 500 at 500 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 3 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 280 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 2SxR
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SC-62-3
Base Product Number 2SCR552 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 1ВµA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 280MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-243AA
Power - Max 500mW
REACH Status REACH Affected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Simulation Models http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package MPT3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1802 КБ
Datasheet 2SCR552P5T100
pdf, 1808 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.