RD3G500GNTL, MOSFET RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application.
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1824 шт., срок 6-8 недель
460 руб.
от 10 шт. —
360 руб.
от 100 шт. —
268 руб.
от 500 шт. —
210.77 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application. Low on - resistance High power package (TO-252)
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
Maximum Drain Source Resistance | 6.3 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 35 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | RD3G500GN |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
Width | 6.4mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары