RD3G500GNTL, MOSFET RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application.

RD3G500GNTL, MOSFET RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application.
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1824 шт., срок 6-8 недель
460 руб.
от 10 шт.360 руб.
от 100 шт.268 руб.
от 500 шт.210.77 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 460 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005264973
Артикул: RD3G500GNTL
Бренд: Rohm

Описание

RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application. Low on - resistance High power package (TO-252)

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1.2V
Maximum Continuous Drain Current 50 A
Maximum Drain Source Resistance 6.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 40 V
Maximum Gate Source Voltage ±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 35 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Series RD3G500GN
Transistor Configuration Single
Typical Gate Charge @ Vgs 31 nC @ 10 V
Width 6.4mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 114 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.