Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Rohm › RGCL80TK60DGC11, IGBT Transistors ROHM's IGBT ...

RGCL80TK60DGC11, IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and

Фото 1/3 RGCL80TK60DGC11, IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

295 шт., срок 7-9 недель

1 730 руб.

от 10 шт. — 1 320 руб.

от 25 шт. — 1 050 руб.

от 100 шт. — 967.58 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 730 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8005265119

Артикул: RGCL80TK60DGC11

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	57 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGCL80TK60D
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	35 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PFM
Base Product Number	RGCL80 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	35A
Current - Collector Pulsed (Icm)	160A
ECCN	EAR99
Gate Charge	98nC
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-3PFM, SC-93-3
Power - Max	57W
Reverse Recovery Time (trr)	58ns
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-3PFM
Switching Energy	1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C	53ns/227ns
Test Condition	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.8V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Collector Emitter Saturation Voltage	1.4В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	35А
Power Dissipation	57Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-3PFM
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	8.721