RGPR30BM40HRTL, IGBT Transistors 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13967 шт., срок 7-9 недель
530 руб.
от 10 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
316 руб.
от 250 шт. —
282.95 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 530 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Automotive Ignition IGBTsROHM Semiconductor Automotive Ignition IGBTs with low collector-emitter saturation voltage are suitable for the ignition coil and solenoid driver circuits. The IGBT transistors feature high self-clamped inductive switching energy, built-in gate-emitter protection diode, and built-in gate-emitter resistance. These IGBT transistors operate at -40 C to 175 C and -55 C to 175 C storage temperature. The devices are housed in 3-pin TO-252 and TO263S packages and are a highly reliable product for automotive.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 430 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 30 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 600 uA |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -10 V, 10 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | RGPR30BM40HR |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 0.63 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
