RGS60TS65DHRC11
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 шт., срок 6-8 недель
1 970 руб.
1 520 руб.
от 30 шт. —
1 040 руб.
от 120 шт. —
900 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 520 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A FIELD STOP TRENCH
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 223 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | RGS60TS65DHR |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 56 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247N-3 |
Техническая документация
Datasheet RGS60TS65DHRC11
pdf, 633 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
