RGS80TS65HRC11, IGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT. RGS80TS65HR is a highly reliable IGBT for automotive inverter, heater.

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

202 шт., срок 6-8 недель

1 750 руб.

от 10 шт. — 1 600 руб.

от 25 шт. — 1 300 руб.

от 100 шт. — 1 111.91 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 750 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005265131

Артикул: RGS80TS65HRC11

Бренд: Rohm

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FIELD STOP TRENCH

Pd - рассеивание мощности	272 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	73 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247N-3
Collector Emitter Saturation Voltage	1.65В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	73А
Power Dissipation	272Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247N
Вес, г	1