RGT40TS65DGC11, IGBT Transistors 650V 20A IGBT Stop Trench
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 шт., срок 6-8 недель
850 руб.
от 10 шт. —
680 руб.
от 25 шт. —
624 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 850 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Траншейные IGBT с полевым затвором ROHM Полевые затворные транзисторы с канавкой IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные IGBT, которые используются в широком диапазоне высоковольтных и сильноточных приложений. Эти IGBT имеют низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера, короткое замыкание, которое выдерживает время, и встроенный FRD с очень быстрым и мягким восстановлением. Траншейные транзисторы IGBT с ограничителем поля идеально подходят для ИБП, стабилизаторов питания, сварочных аппаратов и инверторов общего назначения для промышленного использования.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
| Continuous Collector Current: | 20 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 450 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-200 nA |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Operating Temperature Range: | -40 C to+175 C |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | RGT40TS65D |
| Pd - Power Dissipation: | 144 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | RGT40TS65D |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Gate Capacitance | 1070pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 30V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 144 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247N |
| Pin Count | 3+Tab |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
