RGT8BM65DTL, IGBT Transistors 650V 4A IGBT Stop Trench
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2160 шт., срок 6-8 недель
670 руб.
от 10 шт. —
520 руб.
от 100 шт. —
393 руб.
от 250 шт. —
352.32 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Field Stop Trench IGBTsROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 8 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 8 A |
| Continuous Collector Current: | 4 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-200 nA |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Temperature Range: | -40 C to+175 C |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | RGT8BM65D |
| Pd - Power Dissipation: | 62 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | RGT8BM65D |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 3.95 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
