RGT8TM65DGC9, IGBT Transistors RGT8TM65D is a Field Stop Trench IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for General I
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
779 шт., срок 6-8 недель
600 руб.
от 10 шт. —
460 руб.
от 100 шт. —
353 руб.
от 250 шт. —
302.34 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 600 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 16 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 5 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Base Product Number | RGT8TM65 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 13.5nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power - Max | 16W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220NFM |
| Td (on/off) @ 25В°C | 17ns/69ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGT8TM65DGC9
pdf, 1700 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
