RGTH00TK65GC11, IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

408 шт., срок 6-8 недель

1 830 руб.

от 10 шт. — 1 510 руб.

от 25 шт. — 1 420 руб.

от 100 шт. — 1 101.91 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 830 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8005265151

Артикул: RGTH00TK65GC11

Бренд: Rohm

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Pd - рассеивание мощности	72 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGTH00TK65
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	35 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PFM
Collector Emitter Saturation Voltage	1.6В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	35А
Power Dissipation	72Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-3PFM
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1