RGTH80TS65GC11, IGBT Transistors 650V 40A Trench IGBT Field Stop TO-247N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
361 шт., срок 6-8 недель
1 240 руб.
от 10 шт. —
960 руб.
от 25 шт. —
917 руб.
от 100 шт. —
704.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 240 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Trench IGBT Field Stop TO-247N
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 234 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | RGTH80TS65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 70 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247N-3 |
| Base Product Number | RGTH80 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 79nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/power/inn |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power - Max | 234W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Td (on/off) @ 25В°C | 34ns/120ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet RGTH80TS65GC11
pdf, 993 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
