RGTV00TS65DGC11, IGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
446 шт., срок 6-8 недель
1 950 руб.
от 10 шт. —
1 590 руб.
от 25 шт. —
1 440 руб.
от 100 шт. —
1 234.34 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 950 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
RGTV 650V Field Stop Trench IGBTsROHM Semiconductor RGTV 650V Field Stop Trench IGBTs offer a low collector-emitter saturation voltage in a small package. The RGTV IGBTs feature high-speed switching, low switching loss, and a short circuit withstand time 2µs. The ROHM RGTV 650V Field Stop Trench IGBTs are ideal for Solar Inverter, UPS, Welding, IH, and PFC applications.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 95 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 95 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247N-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | RGTV00TS65D |
| Pd - Power Dissipation: | 276 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 12.87 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
