RGW00TK65DGVC11, IGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт., срок 6-8 недель
1 950 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 950 руб.
Альтернативные предложения3
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 45А |
| Power Dissipation | 89Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGW00TK65DGVC11
pdf, 1929 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
