RGW00TS65GC11, IGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

385 шт., срок 6-8 недель

1 660 руб.

от 25 шт. — 1 330 руб.

от 100 шт. — 1 010 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 660 руб.

Номенклатурный номер: 8005265172

Артикул: RGW00TS65GC11

Бренд: Rohm

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Pd - рассеивание мощности	254 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	96 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	96 A
Подкатегория	IGBTs
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247N-3
Вес, г	1