RSJ250P10FRATL, MOSFET Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2316 шт., срок 7-9 недель
550 руб.
от 10 шт. —
430 руб.
от 100 шт. —
325 руб.
от 250 шт. —
298.11 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 550 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -100В, 25А, 50Вт, TO263 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Application | automotive industry |
| Case | TO263 |
| Drain current | -25A |
| Drain-source voltage | -100V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate charge | 60nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 63mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 50W |
| Pulsed drain current | -50A |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2531 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
