2SC4116-O(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=80MHz

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5927 шт., срок 7-9 недель

70 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 70 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005268116

Артикул: 2SC4116-O(TE85L,F)

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=80MHz

Brand:	Toshiba
Collector- Base Voltage VCBO:	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	100 mV
Configuration:	Single
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity:	3000
Gain Bandwidth Product fT:	80 MHz
Manufacturer:	Toshiba
Maximum DC Collector Current:	150 mA
Maximum Operating Temperature:	+125 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Pd - Power Dissipation:	100 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Подкатегория	Transistors
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Вес, г	1