HN1A01FU-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2666 шт., срок 7-9 недель
82 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 82 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current: | -150 mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 |
| DC Current Gain hFE Max: | 400 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 80 MHz |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current: | 150 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | US-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 347 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
