HN1B04FU-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7876 шт., срок 7-9 недель
76 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 76 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Конфигурация | Dual |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V, - 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz, 120 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | HN1B04FU |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Вес, г | 0.0068 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 383 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.