HN1C01FE-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6098 шт., срок 7-9 недель
91 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 91 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |
| Configuration: | Dual |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 |
| DC Current Gain hFE Max: | 400 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 80 MHz |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current: | 150 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 292 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
