HN1C01F-GR(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6687 шт., срок 7-9 недель
97 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 97 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | HN1C01 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-26-6 |
| Brand | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.1 V |
| Configuration | Dual |
| Continuous Collector Current | 150 mA |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 120 |
| DC Current Gain HFE Max | 400 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 80 MHz |
| Manufacturer | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current | 150 mA |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-26-6 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | HN1C01 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 220 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
