HN1C01FU-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1264 шт., срок 7-9 недель

100 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 100 руб.

Номенклатурный номер: 8005268427

Артикул: HN1C01FU-GR,LF

Бренд: Toshiba

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400 at 2 mA
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	80 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	HN1C01
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-363-6
Вес, г	0.0075