Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Toshiba › RN1906FE,LF(CT, Digital Transistors Bias ...

RN1906FE,LF(CT, Digital Transistors Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8000 шт., срок 7-9 недель

67 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 67 руб.

Номенклатурный номер: 8005268527

Артикул: RN1906FE,LF(CT

Бренд: Toshiba

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	100 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	250 MHz
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	RN1906
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-563-6
Automotive	No
Configuration	Dual
ECCN (US)	EAR99
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.3@0.25mA@5mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)	100
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	100
Minimum DC Current Gain	80@10mA@5V
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	6
Pin Count	6
PPAP	No
Standard Package Name	ES
Supplier Package	ES
Type	NPN
Typical Current Gain Bandwidth (MHz)	250
Typical Input Resistor (kOhm)	4.7
Typical Resistor Ratio	0.1
Вес, г	0.003