RN2425(TE85L,F), Digital Transistors TRANSISTOR

RN2425(TE85L,F), Digital Transistors TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15210 шт., срок 6-8 недель
130 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005268554
Артикул: RN2425(TE85L,F)
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) Toshiba Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) offer a wide range of polarity options. The bias resistor transistors are available in NPN, PNP, NPN + PNP, PNP + NPN, NPN x 2, and PNP x 2 polarities. The Toshiba bias resistor built-in transistors offer 3-pin, 5-pin, and 6-pin configurations with options for single, 2-in-1 (point-symmetrical), and 2-in-1 (common-emitter) internal connections.

Технические параметры

Brand: Toshiba
Collector- Base Voltage VCBO: -50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: -50 V
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hFE Min: 90
Emitter- Base Voltage VEBO: -5 V
Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: Toshiba
Maximum DC Collector Current: -800 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SC-59-3
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Product Category: Digital Transistors
Product Type: Digital Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP
Typical Input Resistor: 47 kOhms
Base Product Number RN2107 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 100mA, 1V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 200MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 200mW
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
RoHS Status RoHS non-compliant
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 573 КБ
Datasheet
pdf, 569 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.