SSM3J340R,LF, MOSFET Sm Low ON Resistance SOT-23F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20307 шт., срок 7-9 недель
130 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Forward Transconductance - Min: | 7.1 S |
Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-23F-3 |
Pd - Power Dissipation: | 1 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 6.2 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MOSVI |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 93 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 65 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 344 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары