SSM3K131TU,LF, MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm a. 4.5V, in UFM package
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12395 шт., срок 7-9 недель
150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
Qg - заряд затвора | 10.1 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 27.6 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | U-MOSIV |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SSM3K131T |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 15 ns |
Типичное время задержки при включении | 21 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | UFM-3 |
Вес, г | 0.0066 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K131TU.LF
pdf, 197 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.