2N7002BKW,115, MOSFET 2N7002BKW/SOT323/SC-70
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60942 шт., срок 7-9 недель
100 руб.
от 10 шт. —
67 руб.
от 100 шт. —
29 руб.
от 1000 шт. —
15.89 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 100 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзистор полевой N-канальный 60В 310мА, 0.88Вт
Технические параметры
Brand | Nexperia |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 7 ns |
Id - Continuous Drain Current | 310 mA |
Manufacturer | Nexperia |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number Of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SOT-323-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 330 mW(1/3 W) |
Product | MOSFET Small Signal |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 0.5 nC |
Qualification | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms |
Rise Time | 6 ns |
Subcategory | MOSFETs |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel Trench MOSFET |
Type | Enhancement |
Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.1 V |
Вес, г | 0.005 |
Техническая документация
Datasheet 2N7002BKW.115
pdf, 709 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.