BC807-40HR, Bipolar Transistors - BJT BC807-40H/SOT23/TO-236AB

Фото 1/2 BC807-40HR, Bipolar Transistors - BJT BC807-40H/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6439 шт., срок 6-8 недель
82 руб.
от 10 шт.56 руб.
от 100 шт.22 руб.
от 1000 шт.14.78 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 82 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005273592
Артикул: BC807-40HR
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 540 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № 934660831215
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 250
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 600
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальный постоянный ток коллектора 500 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 700 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 500 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 80 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок SOT-23-3
Base Product Number BC807 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 80MHz
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TA)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 320mW
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Вес, г 0.0075

Техническая документация

Datasheet
pdf, 361 КБ
Datasheet
pdf, 363 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.