BCP54-10,135, Bipolar Transistors - BJT BCP54-10/SOT223/SC-73

Фото 1/2 BCP54-10,135, Bipolar Transistors - BJT BCP54-10/SOT223/SC-73
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6509 шт., срок 6-8 недель
140 руб.
от 10 шт.94 руб.
от 100 шт.41 руб.
от 1000 шт.26.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8005273762
Артикул: BCP54-10,135
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT TRANS MED PWR TAPE13

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 960 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.7 mm
Длина 6.7 mm
Другие названия товара № /T3 BCP54-10
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 40
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 250
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 180 MHz
Размер фабричной упаковки 4000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.7 mm
Base Product Number BCP54 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 180MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 650mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Вес, г 0.112

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.