BFU580QX, RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor

Фото 1/2 BFU580QX, RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
290 руб.
от 10 шт.230 руб.
от 100 шт.168 руб.
от 500 шт.136.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.
Номенклатурный номер: 8005273914
Артикул: BFU580QX
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 12В
Continuous Collector Current 30мА
DC Current Gain hFE Min 95hFE
DC Ток Коллектора 30мА
DC Усиление Тока hFE 95hFE
Power Dissipation 1Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора SOT-89
Линейка Продукции BFU580Q
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 12В
Полярность Транзистора NPN
Рассеиваемая Мощность 1Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора SOT-89
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 10.5ГГц
Automotive Yes
Configuration Single Dual Collector
ECCN (US) EAR99
Lead Shape Flat
Material Si
Maximum 3rd Order Intercept Point (dBm) 25.5(Typ)
Maximum Collector Base Voltage (V) 30
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 1(Typ)
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 16
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V) <20
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum DC Collector Current Range (A) 0.12 to 0.5
Maximum Emitter Base Voltage (V) 3
Maximum Noise Figure (dB) 1.3(Min)
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power 1dB Compression (dBm) 16(Typ)
Maximum Power Dissipation (mW) 1000
Maximum Transition Frequency (MHz) 10500(Typ)
Minimum DC Current Gain 60@30mA@8V
Minimum DC Current Gain Range 50 to 120
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Operational Bias Conditions 8V/30mA
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 4
PPAP Yes
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-89
Supplier Temperature Grade Automotive
Tab Tab
Type NPN
Typical Input Capacitance (pF) 1.3
Typical Output Capacitance (pF) 1.1
Typical Power Gain (dB) 20
Вес, г 0.3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 305 КБ
Datasheet BFU580QX
pdf, 270 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов