BSN20BKR, MOSFET BSN20BK/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
34475 шт., срок 7-9 недель
110 руб.
от 10 шт. —
78 руб.
от 100 шт. —
30 руб.
от 1000 шт. —
19.18 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,17А, 402мВт, SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 265 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 402 mW |
| Qg - заряд затвора | 0.49 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 8.4 ns |
| Время спада | 5.1 ns |
| Другие названия товара № | 934068054215 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 12.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.9 ns |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Brand | Nexperia |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 5.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 265 mA |
| Manufacturer | Nexperia |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 402 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 490 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.8 Ohms |
| Rise Time | 8.4 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7.9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 330 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.8 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.4V |
| Maximum Power Dissipation | 1.67 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Series | BSN20BK |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.49 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
