Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › PBSS5480X,135, Bipolar Transistors - BJT ...

PBSS5480X,135, Bipolar Transistors - BJT PBSS5480X/SOT89/MPT3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

67504 шт., срок 7-9 недель

130 руб.

от 10 шт. — 110 руб.

от 100 шт. — 72 руб.

от 500 шт. — 53.31 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005277194

Артикул: PBSS5480X,135

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-13

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	2500 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.6 mm
Длина	4.6 mm
Другие названия товара №	/T3 PBSS5480X
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200 at 0.5 A at 2 V, 180 at 1 A at 2 V, 150 at 2 A
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	200 at 0.5 A at 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	4 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	125 MHz
Размер фабричной упаковки	4000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	UPAK-3
Ширина	2.6 mm
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V
Maximum DC Collector Current	4 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	125 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	2.5 W
Minimum DC Current Gain	200
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	UPAK
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Вес, г	1