SI3458BDV-T1-E3, MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
от 100 шт. —
146 руб.
от 500 шт. —
110.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Si3 TrenchFET® Power MOSFETs Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET® Power MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. These Si3 MOSFETs are also offered in different VGS and VDS ranges. Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and offer ultra-low RDS(ON) for high efficiency. The series incorporates Si technology and operates at a temperature range of -55°C to 150°C. Typical applications include load switches and DC to DC converters.
Технические параметры
Brand: | Vishay Semiconductors |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Id - Continuous Drain Current: | 4.1 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TSOP-6 |
Part # Aliases: | SI3458BDV-T1-BE3 SI3458BDV-E3 |
Pd - Power Dissipation: | 3.3 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 11 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
Вес, г | 0.046 |
Техническая документация
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 285 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 107 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 169 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов