SIHB105N60EF-GE3, MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
940 руб.
от 10 шт. —
810 руб.
от 25 шт. —
697 руб.
от 100 шт. —
578.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 940 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Высокопроизводительные полевые МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии EFВысокопроизводительные полевые МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии EF представляют собой силовые N-канальные полевые МОП-транзисторы с суперпереходом на 600 В с 30-процентным снижением удельного Сопротивление во включенном состоянии по сравнению с МОП-транзисторами серии S. Они оснащены быстродействующим полевым МОП-транзистором с корпусным диодом, использующим технологию серии E, уменьшенным Trr / Qrr / Irrm, низким FOM, низкой входной емкостью, низкими потерями переключения из-за уменьшенного Qrr, сверхнизким зарядом затвора и имеют номинальную лавинную энергию (UIS). Типичные области применения включают источники питания для серверов и телекоммуникаций, освещение, промышленность, зарядные устройства, возобновляемые источники энергии и импульсные источники питания.
Узнать больше
Технические параметры
Brand: | Vishay/Siliconix |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Id - Continuous Drain Current: | 29 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 208 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 35 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 102 mOhms |
Series: | EF |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 201 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов