SIHG105N60EF-GE3, MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 050 руб.
от 10 шт. —
860 руб.
от 25 шт. —
797 руб.
от 100 шт. —
646.74 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 050 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Высокопроизводительные полевые МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии EFВысокопроизводительные полевые МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии EF представляют собой силовые N-канальные полевые МОП-транзисторы с суперпереходом на 600 В с 30-процентным снижением удельного Сопротивление во включенном состоянии по сравнению с МОП-транзисторами серии S. Они оснащены быстродействующим полевым МОП-транзистором с корпусным диодом, использующим технологию серии E, уменьшенным Trr / Qrr / Irrm, низким FOM, низкой входной емкостью, низкими потерями переключения из-за уменьшенного Qrr, сверхнизким зарядом затвора и имеют номинальную лавинную энергию (UIS). Типичные области применения включают источники питания для серверов и телекоммуникаций, освещение, промышленность, зарядные устройства, возобновляемые источники энергии и импульсные источники питания.
Узнать больше
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Id - Continuous Drain Current: | 29 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 208 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 35 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 102 mOhms |
| Series: | EF |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 29 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.102 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Series | SiHG105N60EF |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 187 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
