MW6S004NT1, RF MOSFET Transistors HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 190 руб.

от 10 шт. — 3 510 руб.

от 25 шт. — 3 190 руб.

от 50 шт. — 2 802.97 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 190 руб.

Номенклатурный номер: 8005357964

Артикул: MW6S004NT1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors

Brand:	NXP Semiconductors
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Gain:	18 dB
Id - Continuous Drain Current:	50 mA
Manufacturer:	NXP
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Moisture Sensitive:	Yes
Mounting Style:	SMD/SMT
Operating Frequency:	2 GHz
Output Power:	4 W
Package / Case:	PLD-1.5-3
Part # Aliases:	935320257515
Product Category:	RF MOSFET Transistors
Product Type:	RF MOSFET Transistors
Series:	MW6S004NT1
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Type:	RF Power MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	68 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Вес, г	0.499