IRFI840GPBF, MOSFET 500V N-CH HEXFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
810 руб.
от 10 шт. —
580 руб.
от 100 шт. —
438 руб.
от 250 шт. —
429.77 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 810 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2,9А, 40Вт, TO220FP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 4.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Qg - заряд затвора | 67 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 850 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 22 ns |
| Время спада | 21 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.7 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRFI |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Capacitance, Input | 1300 pF &&64; 25 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Current, Drain | 4.6 A |
| Gate Charge, Total | 67 nC |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 40 W |
| Resistance, Drain to Source On | 0.85 Ω |
| Temperature, Operating, Maximum | +150 °C |
| Temperature, Operating, Minimum | -55 °C |
| Temperature, Operating, Range | -55 to+150 °C |
| Time, Turn-Off Delay | 55 ns |
| Time, Turn-On Delay | 14 ns |
| Transconductance, Forward | 3.7 S |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 67 nC &&64; 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 500 V |
| Voltage, Diode Forward | 2 V |
| Voltage, Drain to Source | 500 V |
| Voltage, Forward, Diode | 2 V |
| Voltage, Gate to Source | ±20 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 850 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2786 КБ
Datasheet IRFI840GPBF
pdf, 2789 КБ
IRFI840G datasheet
pdf, 169 КБ
Документация
pdf, 2788 КБ
Datasheet IRFI840G
pdf, 1544 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
