CPC3980ZTR, MOSFET N-Ch Depletion Mode Vertical DMOS FET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
от 10 шт. —
230 руб.
от 100 шт. —
165 руб.
от 500 шт. —
130.11 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| Drain current | 0.1A |
| Drain-source voltage | 800V |
| Gate-source voltage | ±15V |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 45Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.8W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, кг | 9.48 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 112 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
