2SA2202-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V

2SA2202-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
150 руб.
от 10 шт.130 руб.
от 100 шт.82 руб.
от 500 шт.61.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.
Номенклатурный номер: 8005368321
Артикул: 2SA2202-TD-E

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 100В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 200hFE
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Power Dissipation 3.5Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора PNP
Стиль Корпуса Транзистора SOT-89
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 300МГц
Вес, г 0.1233

Техническая документация

Datasheet 2SA2202-TD-E
pdf, 277 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов