2SA2202-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 100 шт. —
82 руб.
от 500 шт. —
61.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 100В |
Continuous Collector Current | 2А |
DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
Power Dissipation | 3.5Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | PNP |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 300МГц |
Вес, г | 0.1233 |
Техническая документация
Datasheet 2SA2202-TD-E
pdf, 277 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов