2SA2210-1E, Bipolar Transistors - BJT Bip Transistor -50V -20A PNP TO-220F-3SG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 руб.
от 10 шт. —
350 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 50В |
| Continuous Collector Current | 20А |
| DC Current Gain hFE Min | 150hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 150hFE |
| Power Dissipation | 30Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-67 |
| Частота Перехода ft | 140МГц |
| Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum DC Collector Current | -20 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Minimum DC Current Gain | 150 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220F |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 4.536 |
Техническая документация
Datasheet 2SA2210-1E
pdf, 241 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
