2SB1215S-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

280 руб.

от 10 шт. — 210 руб.

от 100 шт. — 160 руб.

от 700 шт. — 126.32 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.

Номенклатурный номер: 8005368340

Артикул: 2SB1215S-TL-E

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 100V

Pd - рассеивание мощности	20 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	6 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	3 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	130 MHz
Размер фабричной упаковки	700
Серия	2SB1215
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	TO-252-3
Вес, г	1

pdf, 285 КБ

Мы рекомендуем