2SC4135T-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

330 руб.

от 10 шт. — 260 руб.

от 100 шт. — 188 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 330 руб.

Номенклатурный номер: 8005368360

Артикул: 2SC4135T-TL-E

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 100V

Pd - рассеивание мощности	1 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	700
Серия	2SC4135
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	TO-252-3
Вес, г	1.8

pdf, 387 КБ

Мы рекомендуем