2SC5706-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
145 руб.
от 700 шт. —
120.76 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 50V
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 160 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 400 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 700 |
| Серия | 2SC5706 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 160 mV |
| Configuration | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 |
| DC Current Gain hFE Max | 560 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 700 |
| Gain Bandwidth Product fT | 400 MHz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 15 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | 2SC5706 |
| Transistor Polarity | NPN |
| Вес, г | 0.2812 |
Техническая документация
Datasheet 2SC5706-TL-E
pdf, 425 КБ
Datasheet 2SA2039, 2SC5706
pdf, 418 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
