BC857BLT3G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

34 руб.

от 10 шт. — 22 руб.

от 100 шт. — 11 руб.

от 1000 шт. — 5.75 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 34 руб.

Посмотреть аналоги20

Номенклатурный номер: 8005368656

Артикул: BC857BLT3G

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 50V PNP

Pd - рассеивание мощности	225 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.94 mm
Длина	2.9 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	220
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	10000
Серия	BC857BL
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.3 mm
Вес, г	0.008

pdf, 215 КБ

Мы рекомендуем