MCH6001-TL-E, RF Bipolar Transistors BIP N+N 150MA 8V FT=16G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

180 руб.

от 10 шт. — 150 руб.

от 100 шт. — 100 руб.

от 500 шт. — 80.75 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.

Номенклатурный номер: 8005371342

Артикул: MCH6001-TL-E

RF TRANS, NPN, 8V, 0.15A, 150DEG C, 0.6W ROHS COMPLIANT: YES

Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	15 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	8 V
Configuration	Dual
DC Collector/Base Gain hfe Min	60
DC Current Gain hFE Max	150
Emitter- Base Voltage VEBO	2 V
Factory Pack Quantity	3000
Gain Bandwidth Product fT	16 GHz
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current	150 mA
Maximum Operating Temperature	+150 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-363-6
Packaging	Cut Tape
Pd - Power Dissipation	600 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	MCH6001
Transistor Polarity	NPN
Unit Weight	0.000265 oz
Collector Emitter Voltage Max	8В
Continuous Collector Current	150мА
DC Current Gain hFE Min	60hFE
DC Ток Коллектора	150мА
DC Усиление Тока hFE	60hFE
Power Dissipation	600мВт
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора	SOT-363
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер	8В
Полярность Транзистора	NPN
Рассеиваемая Мощность	600мВт
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-363
Частота Перехода ft	16ГГц
Вес, г	0.0075

pdf, 486 КБ

Мы рекомендуем