IS66WVC4M16EALL-7010BLI, SRAM Pseudo SRAM 64Mb
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 730 руб.
от 10 шт. —
1 460 руб.
от 25 шт. —
1 390 руб.
от 100 шт. —
1 152 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 730 руб.
Номенклатурный номер: 8005378614
Артикул: IS66WVC4M16EALL-7010BLI
Бренд: Integrated Silicon Solution
Описание
Semiconductors\Memory ICs\SRAM
Pseudo SRAM/CellularRAM ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.
Технические параметры
Access Time: | 70 ns |
Brand: | ISSI |
Factory Pack Quantity: | 480 |
Manufacturer: | ISSI |
Maximum Clock Frequency: | 104 MHz |
Maximum Operating Temperature: | +85 C |
Memory Size: | 64 Mbit |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Organization: | 4 M x 16 |
Package / Case: | VFBGA-54 |
Product Category: | SRAM |
Product Type: | SRAM |
Subcategory: | Memory & Data Storage |
Supply Current - Max: | 30 mA |
Supply Voltage - Max: | 1.95 V |
Supply Voltage - Min: | 1.7 V |
Type: | PSRAM(Pseudo SRAM) |
Вес, г | 0.09 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 906 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем