IS66WVC4M16EALL-7010BLI, SRAM Pseudo SRAM 64Mb

IS66WVC4M16EALL-7010BLI, SRAM Pseudo SRAM 64Mb
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 730 руб.
от 10 шт.1 460 руб.
от 25 шт.1 390 руб.
от 100 шт.1 152 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 730 руб.
Номенклатурный номер: 8005378614
Артикул: IS66WVC4M16EALL-7010BLI

Описание

Semiconductors\Memory ICs\SRAM
Pseudo SRAM/CellularRAM ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

Технические параметры

Access Time: 70 ns
Brand: ISSI
Factory Pack Quantity: 480
Manufacturer: ISSI
Maximum Clock Frequency: 104 MHz
Maximum Operating Temperature: +85 C
Memory Size: 64 Mbit
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Organization: 4 M x 16
Package / Case: VFBGA-54
Product Category: SRAM
Product Type: SRAM
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 30 mA
Supply Voltage - Max: 1.95 V
Supply Voltage - Min: 1.7 V
Type: PSRAM(Pseudo SRAM)
Вес, г 0.09

Техническая документация

Datasheet
pdf, 906 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем