Реклама
Рекламодатель: АО «ЧИП и ДИП»
erid: LjN8KJZnZ

AS4C16M16SA-7BCN, DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Commercial Temp - Tray

AS4C16M16SA-7BCN, DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Commercial Temp - Tray
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 590 руб.
от 10 шт.1 180 руб.
от 100 шт.1 070 руб.
от 250 шт.983.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 590 руб.
Номенклатурный номер: 8005389174
Артикул: AS4C16M16SA-7BCN

Описание

Semiconductors\Memory ICs\DRAM
Память SDRAM IC 256 МБ (16M x 16) Параллельный 143 МГц 5,4 нс 54-TFBGA (8x8)

Технические параметры

Access Time: 5.4 ns
Brand: Alliance Memory
Data Bus Width: 16 bit
Factory Pack Quantity: 348
Manufacturer: Alliance Memory
Maximum Clock Frequency: 143 MHz
Maximum Operating Temperature: +70 C
Memory Size: 256 Mbit
Minimum Operating Temperature: 0 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Organisation: 16 M x 16
Package/Case: TFBGA-54
Packaging: Tray
Product Category: DRAM
Product Type: DRAM
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 55 mA
Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 3 V
Type: SDRAM
Access Time 5.4ns
Clock Frequency 143MHz
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0024
Memory Format DRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 256Mb (16M x 16)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 0В°C ~ 70В°C (TA)
Package Tray
Package / Case 54-TFBGA
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 54-TFBGA (8x8)
Technology SDRAM
Voltage - Supply 3V ~ 3.6V
Write Cycle Time - Word, Page 14ns

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1718 КБ
Datasheet
pdf, 1568 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем