AS4C4M16SA-6TIN, DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray

AS4C4M16SA-6TIN, DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
950 руб.
от 10 шт.800 руб.
от 108 шт.598 руб.
от 540 шт.518.78 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 950 руб.
Номенклатурный номер: 8005389194
Артикул: AS4C4M16SA-6TIN

Описание

The Alliance Memory 64Mb SDRAM is a high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64 Mbits. It is internally configured as 4 Banks of 1M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK).

Технические параметры

Address Bus Width 13bit
Data Bus Width 16bit
Data Rate 200MHz
Maximum Operating Supply Voltage 3.6 V
Maximum Operating Temperature +85 °C
Maximum Random Access Time 5.4ns
Memory Size 64Mbit
Minimum Operating Supply Voltage 3 V
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Bits per Word 16bit
Number of Words 4M
Organisation 4M x 16
Package Type TSOP
Pin Count 54
SDRAM Class DDR
Width 10.29mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1295 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем