AS4C512M16D3LA-10BIN, DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 IT

AS4C512M16D3LA-10BIN, DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 IT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 670 руб.
от 10 шт.7 390 руб.
от 25 шт.6 430 руб.
от 100 шт.5 664.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 670 руб.
Номенклатурный номер: 8005389200
Артикул: AS4C512M16D3LA-10BIN

Описание

SDRAM - ИС памяти DDR3L 8 ГБ (512 МБ x 16) Параллельный 933 МГц 20 нс 96-FBGA (9x13,5)

Технические параметры

Access Time 20ns
Clock Frequency 933MHz
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0036
Memory Format DRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 8Gb (512M x 16)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 95В°C (TC)
Package Tray
Package / Case 96-TFBGA
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 96-FBGA (9x13.5)
Technology SDRAM - DDR3L
Voltage - Supply 1.275V ~ 1.425V

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем