AS4C1M16S-6TIN, DRAM SDRAM, 16Mb, 1M x 16, 3.3V, 50pin TSOP II, 166 Mhz, Industrial Temp - Tray
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
820 руб.
от 10 шт. —
680 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 820 руб.
Описание
Описание Микросхема памяти AS4C1M16S-6TIN производителя ALLIANCE MEMORY является высококачественным SDRAM устройством, рассчитанным на частоту 166 МГц. С объемом памяти в 16Мбит, эта микросхема обеспечивает стабильную и быструю работу. Минимальное и максимальное напряжение питания составляет 3,3 В, что делает её идеальным выбором для многих современных электронных устройств. Монтаж данной микросхемы осуществляется методом SMD, а корпус TSOP50 обеспечивает легкую интеграцию в различные печатные платы. Надежность и производительность микросхемы AS4C1M16S6TIN делают её предпочтительным вариантом для разработчиков и инженеров. Характеристики
| Категория | Микросхема |
| Тип | памяти |
| Вид | SDRAM |
| Монтаж | SMD |
| Частота, МГц | 166 |
| Объем памяти | 16Мбит |
| Мин.напряжение питания, В | 3.3 |
| Макс.напряжение питания, В | 3.3 |
| Корпус | TSOP50 |
Технические параметры
| Access Time | 5.4ns |
| Clock Frequency | 166MHz |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0002 |
| Memory Format | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 16Mb (1M x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 50-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 50-TSOP II |
| Technology | SDRAM |
| Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 2ns |
Техническая документация
Datasheet AS4C1M16S-6TIN
pdf, 923 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
