AS6C1016-55ZIN, SRAM LP SRAM, 1Mb, 64K x 16, 2.7 - 5.5V, 44pin TSOP II, 55ns, Industrial Temp - Tray
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 010 руб.
от 10 шт. —
830 руб.
от 100 шт. —
668 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 010 руб.
Описание
SRAM - ИС асинхронной памяти 1 Мб (64 КБ x 16), параллельный 55 нс 44-TSOP II
Технические параметры
| Access Time | 55ns |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Memory Format | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 1Mb (64K x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 5.5V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 55ns |
Техническая документация
Datasheet AS6C1016-55ZIN
pdf, 444 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
